界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张兴宏 ; 程知群 ; 夏冠群 ; 徐元森 ; 杨玉芬 ; 王占国 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:11页码:989 |
| 中文摘要 | 利用高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的I-V特性和器件跨导的影响。研究结果表明随着界面态密度的增加，栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18863]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张兴宏,程知群,夏冠群,等. 界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响[J]. 半导体学报,1999,20(11):989. |
| APA | 张兴宏,程知群,夏冠群,徐元森,杨玉芬,&王占国.(1999).界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响.半导体学报,20(11),989. |
| MLA | 张兴宏,et al."界面态对AlGaAs/GaAs HEMT直流输出特性的影响".半导体学报 20.11(1999):989. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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