Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs（100） Substrate by MOVPE
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵德刚 ; 王玉田
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:10页码:921 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5485.pdf: 258099 bytes, checksum: 4d91cb2703f206982779f401eaf6639a (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18875]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵德刚,王玉田. Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs（100） Substrate by MOVPE[J]. 半导体学报,1999,20(10):921. |
| APA | 赵德刚,&王玉田.(1999).Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs（100） Substrate by MOVPE.半导体学报,20(10),921. |
| MLA | 赵德刚,et al."Strain Analysis of Cubic AlGaN/GaNGrownon GaAs（100） Substrate by MOVPE".半导体学报 20.10(1999):921. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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