铕离子注入氧化硅膜光发射的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王亮
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:10页码:841 |
| 中文摘要 | 采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法，获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。 |
| 英文摘要 | 采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法，获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5487.pdf: 308231 bytes, checksum: 11294f641c52f2497aa0f659d308f8a9 (MD5) Previous issue date: 1999; 中国科学技术大学研究生院物理学部;中科院半导体所;北方交通大学光电子研究所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18879]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王亮. 铕离子注入氧化硅膜光发射的研究[J]. 半导体学报,1999,20(10):841. |
| APA | 王亮.(1999).铕离子注入氧化硅膜光发射的研究.半导体学报,20(10),841. |
| MLA | 王亮."铕离子注入氧化硅膜光发射的研究".半导体学报 20.10(1999):841. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。