ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 茅冬生 ; 谭满清 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:9页码:837 |
| 中文摘要 | 电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR Plasma CVD)法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一。该文报道了ECR Plamsa CVD法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等。 |
| 英文摘要 | 电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR Plasma CVD)法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一。该文报道了ECR Plamsa CVD法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5488.pdf: 268157 bytes, checksum: a9afec13ee84ea1ae7fa132e4f87b5aa (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18881]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 茅冬生,谭满清. ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用[J]. 半导体学报,1999,20(9):837. |
| APA | 茅冬生,&谭满清.(1999).ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用.半导体学报,20(9),837. |
| MLA | 茅冬生,et al."ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用".半导体学报 20.9(1999):837. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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