辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于芳
|
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 676期号:0 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18897]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于芳. 辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应[J]. 半导体学报,1999,676(0). |
| APA | 于芳.(1999).辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应.半导体学报,676(0). |
| MLA | 于芳."辐射加固的JFET/SOS:工艺及γ辐射效应".半导体学报 676.0(1999). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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