大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 卢励吾 ; 张砚华 ; Ge Weikun ; Ho W Y ; Surya Charles ; Tongc K Y |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 1999 |
卷号 | 667期号:0 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5497.pdf: 134155 bytes, checksum: efd5688ce371fa9eeb70a2c4e2a4d9f8 (MD5) Previous issue date:; 香港科技大学研究基金,国家自然科学基金,半导体材料科学开放实验室基金; 中科院半导体所;香港科技大学物理系;香港理工大学电子工程系 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 香港科技大学研究基金,国家自然科学基金,半导体材料科学开放实验室基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18899] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢励吾,张砚华,Ge Weikun,等. 大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响[J]. 半导体学报,1999,667(0). |
APA | 卢励吾,张砚华,Ge Weikun,Ho W Y,Surya Charles,&Tongc K Y.(1999).大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响.半导体学报,667(0). |
MLA | 卢励吾,et al."大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响".半导体学报 667.0(1999). |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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