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大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响

文献类型:期刊论文

作者卢励吾 ; 张砚华 ; Ge Weikun ; Ho W Y ; Surya Charles ; Tongc K Y
刊名半导体学报
出版日期1999
卷号667期号:0
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5497.pdf: 134155 bytes, checksum: efd5688ce371fa9eeb70a2c4e2a4d9f8 (MD5) Previous issue date:; 香港科技大学研究基金,国家自然科学基金,半导体材料科学开放实验室基金; 中科院半导体所;香港科技大学物理系;香港理工大学电子工程系
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息香港科技大学研究基金,国家自然科学基金,半导体材料科学开放实验室基金
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18899]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
卢励吾,张砚华,Ge Weikun,等. 大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响[J]. 半导体学报,1999,667(0).
APA 卢励吾,张砚华,Ge Weikun,Ho W Y,Surya Charles,&Tongc K Y.(1999).大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响.半导体学报,667(0).
MLA 卢励吾,et al."大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响".半导体学报 667.0(1999).

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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