低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李建平 ; 黄大定 ; 刘金平 ; 刘学锋 ; 李灵宵 ; 朱世荣 ; 孙殿照 ; 孔梅影 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:7页码:559 |
| 中文摘要 | 为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释。 |
| 英文摘要 | 为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率，研究了Si_2H_6预热温度对Si生长速率的影响，结果表明在一很窄的温区内，Si的生长速率提高了一倍，进一步升温Si的生长速率迅速下降。用四极质谱仪对低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解过程进行了研究，对该现象做了解释。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:11导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5503.pdf: 129748 bytes, checksum: db2ce101436f0930d5e3ae6069e62f8b (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18911]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李建平,黄大定,刘金平,等. 低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响[J]. 半导体学报,1999,20(7):559. |
| APA | 李建平.,黄大定.,刘金平.,刘学锋.,李灵宵.,...&孔梅影.(1999).低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响.半导体学报,20(7),559. |
| MLA | 李建平,et al."低温Si-GSMBE中Si_2H_6的热裂解及对Si生长的影响".半导体学报 20.7(1999):559. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。