浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王圩 ; 朱洪亮
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:6页码:501 |
| 中文摘要 | 利用300keV的P~+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入，经H_2/N_2混合气氛下的快速退火，结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm。发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsP MQW,在较低的诱因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应。 |
| 英文摘要 | 利用300keV的P~+离子对InGaAs/InGaAsP应变层多量子阱(MQW)激光器外延结构实施浅注入，经H_2/N_2混合气氛下的快速退火，结构的光致发光(PL)峰值波长蓝移了76nm,所作宽接触激光器的激射波长蓝移了77.9nm。发现具有应变结构的InGaAs/InGaAsP MQW,在较低的诱因素作用下即可产生较大的量子阱混合(intermixing)效应。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:13导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5507.pdf: 202655 bytes, checksum: 97b6e732a74b9b269a8447b6fcf2b7c4 (MD5) Previous issue date: 1999; 国家863计划; 中科院半导体所;北京师范大学低能核物理所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18919]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩,朱洪亮. 浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应[J]. 半导体学报,1999,20(6):501. |
| APA | 王圩,&朱洪亮.(1999).浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应.半导体学报,20(6),501. |
| MLA | 王圩,et al."浅离子注入InGaAs/InGaAsP SL-MQW激光器的混合蓝移效应".半导体学报 20.6(1999):501. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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