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利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

文献类型:期刊论文

作者于芳
刊名半导体学报
出版日期1999
卷号20期号:5页码:433
中文摘要CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比,载流子迁移率较低,沟道漏电电流放大,它们主要是由异质外延硅膜缺陷,特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果。
英文摘要CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比,载流子迁移率较低,沟道漏电电流放大,它们主要是由异质外延硅膜缺陷,特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:14导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5511.pdf: 271453 bytes, checksum: 074a767e9ae37134f02b4a8927502466 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所
学科主题半导体器件
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18927]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
于芳. 利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性[J]. 半导体学报,1999,20(5):433.
APA 于芳.(1999).利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性.半导体学报,20(5),433.
MLA 于芳."利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性".半导体学报 20.5(1999):433.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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