利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于芳
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:5页码:433 |
| 中文摘要 | CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流放大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果。 |
| 英文摘要 | CMOS/SOS器件同体硅CMOS器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流放大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。该文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善CMOS/SOS器件特性的实验结果。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:14导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5511.pdf: 271453 bytes, checksum: 074a767e9ae37134f02b4a8927502466 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18927]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于芳. 利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性[J]. 半导体学报,1999,20(5):433. |
| APA | 于芳.(1999).利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性.半导体学报,20(5),433. |
| MLA | 于芳."利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性".半导体学报 20.5(1999):433. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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