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Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Sourc

文献类型:期刊论文

作者王晓亮 ; 孙殿照 ; 张剑平 ; 孔梅影 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 林兰英
刊名半导体学报
出版日期1999
卷号20期号:5页码:407
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:15导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5514.pdf: 210736 bytes, checksum: e247042c9966c8ca0fe750ab66c66497 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
语种英语
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18933]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮,孙殿照,张剑平,等. Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Sourc[J]. 半导体学报,1999,20(5):407.
APA 王晓亮.,孙殿照.,张剑平.,孔梅影.,曾一平.,...&林兰英.(1999).Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Sourc.半导体学报,20(5),407.
MLA 王晓亮,et al."Al_xGa_(1-x)N and GaN/Al_xGa_(1-x)N Quantum Wells Grown by Gas Sourc".半导体学报 20.5(1999):407.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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