中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周伯骏 ; 王占国 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:4页码:324 |
| 中文摘要 | 该文展示了中国首根太空砷化镓单晶所具有的火炬头状单晶并有8个小平面的表面形貌。在石英容器设计中考虑了既能经受大的加速度又可避免容器和砷化镓锭条因热膨胀系数不同可能引起的损坏，还介绍了熔区建立后防止熔体和容器内壁接触的办法。考虑到供电仅限于90min，所设计的温控曲线非常好，使空间生长GaAs单晶获得成功。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18943]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周伯骏,王占国. 中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑[J]. 半导体学报,1999,20(4):324. |
| APA | 周伯骏,&王占国.(1999).中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑.半导体学报,20(4),324. |
| MLA | 周伯骏,et al."中国首根太空砷化镓单晶的表面形貌和某些设计考虑".半导体学报 20.4(1999):324. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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