MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:3页码:194 |
| 中文摘要 | 该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器，其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°。 |
| 英文摘要 | 该文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径，并优化了器件结构，可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角。利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器，其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5530.pdf: 339754 bytes, checksum: 853ab3ef6cf6853c23b62bf7e146dac9 (MD5) Previous issue date: 1999; 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所国家光电子工艺中心 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18965]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器[J]. 半导体学报,1999,20(3):194. |
| APA | 陈良惠.(1999).MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器.半导体学报,20(3),194. |
| MLA | 陈良惠."MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器".半导体学报 20.3(1999):194. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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