SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 25期号:1页码:36 |
| 中文摘要 | 通过X射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系。 |
| 英文摘要 | 通过X射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:21导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5535.pdf: 246350 bytes, checksum: 436df04c06517394f7f60543f3d1b620 (MD5) Previous issue date: 2000; 北京市自然科学基金,国家863计划; 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 北京市自然科学基金,国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18973]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射[J]. 半导体技术,2000,25(1):36. |
| APA | 王玉田.(2000).SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射.半导体技术,25(1),36. |
| MLA | 王玉田."SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射".半导体技术 25.1(2000):36. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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