SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭维廉 ; 郑元芬 ; 沙亚男 ; 张培宁 ; 张世林 ; 李树荣 ; 郑云光 ; 陈弘达 ; 林世鸣 ; 芦秀玲 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 2000 |
| 卷号 | 21期号:2页码:93 |
| 中文摘要 | 文章对电阻为负载时，硅光电负阻器件(SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析，定义了描述静态光学双稳态特性的7个基本参数，并分析了负载电阻(R_L)和电源电压(V_0)对这些参数的影响，理论分析结果与实测结果相一致。所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况。 |
| 英文摘要 | 文章对电阻为负载时，硅光电负阻器件(SPNRD)的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析，定义了描述静态光学双稳态特性的7个基本参数，并分析了负载电阻(R_L)和电源电压(V_0)对这些参数的影响，理论分析结果与实测结果相一致。所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:23导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5542.pdf: 307763 bytes, checksum: 33de30c7477cbfa113b0c10317b573be (MD5) Previous issue date: 2000; 集成光电子联合实验室中科院半导体所实验区开放课题基金; 天津大学电子信息工程学院;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 资助信息 | 集成光电子联合实验室中科院半导体所实验区开放课题基金 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18987]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭维廉,郑元芬,沙亚男,等. SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系[J]. 半导体光电,2000,21(2):93. |
| APA | 郭维廉.,郑元芬.,沙亚男.,张培宁.,张世林.,...&芦秀玲.(2000).SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系.半导体光电,21(2),93. |
| MLA | 郭维廉,et al."SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系".半导体光电 21.2(2000):93. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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