Highly conductive nb-doped BaTiO3 epitaxial thin films grown by laser molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yan Lei ; Lu Huibin ; Chen Zhenghao ; Dai Shouyu ; Tan Guotai ; Yang Guozhen |
| 刊名 | chinese physics letters
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 卷号 | 18期号:11页码:1513 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:29导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:11:29z (gmt). no. of bitstreams: 1 5562.pdf: 957221 bytes, checksum: d46df56769033907b394d35451ada3b8 (md5) previous issue date: 2001; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19023]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yan Lei,Lu Huibin,Chen Zhenghao,et al. Highly conductive nb-doped BaTiO3 epitaxial thin films grown by laser molecular beam epitaxy[J]. chinese physics letters,2001,18(11):1513. |
| APA | Yan Lei,Lu Huibin,Chen Zhenghao,Dai Shouyu,Tan Guotai,&Yang Guozhen.(2001).Highly conductive nb-doped BaTiO3 epitaxial thin films grown by laser molecular beam epitaxy.chinese physics letters,18(11),1513. |
| MLA | Yan Lei,et al."Highly conductive nb-doped BaTiO3 epitaxial thin films grown by laser molecular beam epitaxy".chinese physics letters 18.11(2001):1513. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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