High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers
文献类型:期刊论文
作者 | Chen Lianghui |
刊名 | chinese journal of lasers |
出版日期 | 1999 |
卷号 | 8期号:5页码:397 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:31导入数据到semi-ir的ir; made available in dspace on 2010-11-23t05:11:31z (gmt). no. of bitstreams: 1 5592.pdf: 254709 bytes, checksum: 4a0ea7231fa960b0c3be09a09d7ed228 (md5) previous issue date: 1999; 国家自然科学基金,北京市自然科学基金; 北京工业大学电子工程系;中科院半导体所 |
学科主题 | 半导体器件 |
资助信息 | 国家自然科学基金,北京市自然科学基金 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19035] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen Lianghui. High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers[J]. chinese journal of lasers,1999,8(5):397. |
APA | Chen Lianghui.(1999).High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers.chinese journal of lasers,8(5),397. |
MLA | Chen Lianghui."High power 980 nm InGaAs/AlGaAs strained quantum well lasers".chinese journal of lasers 8.5(1999):397. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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