掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光
文献类型：期刊论文
| 作者 | 雷红兵 ; 杨沁清 ; 朱家廉 ; 王红杰 ; 高俊华 ; 王启明 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:1页码:67 |
| 中文摘要 | 该文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性。富硅氧化硅薄膜(氧含量为60%)采用PECVD方法生长，室温下离子注入铒，经过800℃，5min的退火，在10－～300K温度下得到较强的波长1.54μm光致发光。发光强度随温度升高下降，其温度猝灭激活能为14.3meV。发光谱表明富硅氧化硅中Er-O发光中心仍具有T_d对称性。 |
| 英文摘要 | 该文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性。富硅氧化硅薄膜(氧含量为60%)采用PECVD方法生长，室温下离子注入铒，经过800℃，5min的退火，在10－～300K温度下得到较强的波长1.54μm光致发光。发光强度随温度升高下降，其温度猝灭激活能为14.3meV。发光谱表明富硅氧化硅中Er-O发光中心仍具有T_d对称性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:34导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5610.pdf: 210429 bytes, checksum: 4bb19e330af79e1acee1e730744ff5e4 (MD5) Previous issue date: 1999; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19053]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷红兵,杨沁清,朱家廉,等. 掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光[J]. 半导体学报,1999,20(1):67. |
| APA | 雷红兵,杨沁清,朱家廉,王红杰,高俊华,&王启明.(1999).掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光.半导体学报,20(1),67. |
| MLA | 雷红兵,et al."掺铒富硅氧化硅薄膜的光致发光".半导体学报 20.1(1999):67. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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