分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 韩培德
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 20期号:1页码:58 |
| 中文摘要 | 运用透射电子显微镜分析了分子束外延的立方相GaN/GaAs异质微观结构。在GaN外延层中，观察到大量的、不对称的{111}面缺陷(层错和微孪晶)，以及失配位错在该大失配界面上的非优化排列，并对面缺陷的生成机理进行了讨论。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 中国博士后基金,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19055]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 韩培德. 分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析[J]. 半导体学报,1999,20(1):58. |
| APA | 韩培德.(1999).分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析.半导体学报,20(1),58. |
| MLA | 韩培德."分子束外延GaN/GaAs立方相异质结构的电子显微分析".半导体学报 20.1(1999):58. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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