GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑红军 ; 卜俊鹏 ; 何宏家 ; 吴让元 ; 曹福年 ; 白玉珂 ; 惠峰 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 卷号 | 19期号:1页码:111 |
| 中文摘要 | 采用TEM、X-ray Rocking Curve等测试的方法，对GaAs晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性SiO_2胶体水溶液加入不同浓度的电解质(NaOCl)后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了SiO_2胶体溶液不稳定对GaAs抛光晶片亚表面损伤层的影响。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19059]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑红军,卜俊鹏,何宏家,等. GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析[J]. 固体电子学研究与进展,1999,19(1):111. |
| APA | 郑红军.,卜俊鹏.,何宏家.,吴让元.,曹福年.,...&惠峰.(1999).GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析.固体电子学研究与进展,19(1),111. |
| MLA | 郑红军,et al."GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析".固体电子学研究与进展 19.1(1999):111. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。