氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王敬 ; 屠海令 ; 刘安生 ; 张椿 ; 周旗钢 ; 朱悟新 ; 高文 ; 李建明 |
| 刊名 | 中国有色金属学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 8期号:4页码:626 |
| 中文摘要 | 采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术，在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在650℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失，而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。 |
| 英文摘要 | 采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术，在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下，氢离子注入缺陷层基本没有变化，在650℃保温时，缺陷的密度逐渐降低，样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失，而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷，说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象，提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5614.pdf: 113733 bytes, checksum: 265faa4467a464901c08d46a6be4ac8b (MD5) Previous issue date: 1998; 北京有色金属研究总院;北京电子显微镜开放实验室;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19061]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王敬,屠海令,刘安生,等. 氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察[J]. 中国有色金属学报,1998,8(4):626. |
| APA | 王敬.,屠海令.,刘安生.,张椿.,周旗钢.,...&李建明.(1998).氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察.中国有色金属学报,8(4),626. |
| MLA | 王敬,et al."氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察".中国有色金属学报 8.4(1998):626. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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