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氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察

文献类型:期刊论文

作者王敬 ; 屠海令 ; 刘安生 ; 张椿 ; 周旗钢 ; 朱悟新 ; 高文 ; 李建明
刊名中国有色金属学报
出版日期1998
卷号8期号:4页码:626
中文摘要采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术,在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下,观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下,氢离子注入缺陷层基本没有变化,在650℃保温时,缺陷的密度逐渐降低,样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失,而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷,说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象,提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。
英文摘要采用高压电子显微镜(HVEM)的原位观察技术,在1MV加速电压和室温至650℃加热条件下,观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在500℃以下,氢离子注入缺陷层基本没有变化,在650℃保温时,缺陷的密度逐渐降低,样品中薄区域部分的缺陷在保温20min后消失,而厚区域部分在保温40min后仍存有部分缺陷,说明缺陷的变化与样品厚度有关。用氢的扩散理论讨论了这一现象,提出氢可能是以H_2分子的形式扩散的。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5614.pdf: 113733 bytes, checksum: 265faa4467a464901c08d46a6be4ac8b (MD5) Previous issue date: 1998; 北京有色金属研究总院;北京电子显微镜开放实验室;中科院半导体所
学科主题半导体化学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19061]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王敬,屠海令,刘安生,等. 氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察[J]. 中国有色金属学报,1998,8(4):626.
APA 王敬.,屠海令.,刘安生.,张椿.,周旗钢.,...&李建明.(1998).氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察.中国有色金属学报,8(4),626.
MLA 王敬,et al."氢离子注入硅片退火行为的高压电镜原位观察".中国有色金属学报 8.4(1998):626.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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