1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王圩
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| 刊名 | 中国激光
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 25期号:9页码:785 |
| 中文摘要 | 报道了用低压金属有机物化学气相淀积(LP-MOCVD)方法外延生长InGaAsP/InP应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结(BH)条形结构多量子阱激光器具有极低阈值电流4～6mA。20～40℃时特征温度T_0高达67K，室温下外量子效率为0.3mW/mA。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19083]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王圩. 1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长[J]. 中国激光,1998,25(9):785. |
| APA | 王圩.(1998).1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长.中国激光,25(9),785. |
| MLA | 王圩."1.3μm低阈值InGaAsP/InP应变补偿MQW激光器的LP-MOCVD生长".中国激光 25.9(1998):785. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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