Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 岳瑞峰 ; 王佑祥 ; 陈春华 ; 徐传骧 |
| 刊名 | 西安交通大学学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 32期号:4页码:9 |
| 中文摘要 | 结果表明，在淀积过程中，最初淀积的Ti与衬底表面的氧形成Ti-O键，界面区很窄；450℃退火1h后，有少量元素态Al、Si原子析出，界面区有所展宽，但变化不大；650℃退火1h后，界面发生强烈反应，有TiO和Ti-Al、Ti-Si化合物生成。850℃退火1h后，除上述反应产物外又生成了Ti_2O。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19089]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,等. Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究[J]. 西安交通大学学报,1998,32(4):9. |
| APA | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,&徐传骧.(1998).Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究.西安交通大学学报,32(4),9. |
| MLA | 岳瑞峰,et al."Ti/莫来石陶瓷界面反应的俄歇电子能谱研究".西安交通大学学报 32.4(1998):9. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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