快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 47期号:6页码:945 |
| 中文摘要 | 用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究。用光荧光技术测量退火样品的n=1量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大，对退火过程中GaAs/AlGaAs量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能。950℃，30s退火条件下，铝原子的扩散系数为6.6×10~(-16)cm~2/s，扩散过程的激活能为5.0eV。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19093]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. 快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究[J]. 物理学报,1998,47(6):945. |
| APA | 陈良惠.(1998).快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究.物理学报,47(6),945. |
| MLA | 陈良惠."快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究".物理学报 47.6(1998):945. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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