Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王佑祥 ; 岳瑞峰 ; 陈春华 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 47期号:1页码:75 |
| 中文摘要 | 用X射线衍射分析、二次离子质谱、卢瑟福背散射谱、俄歇电子能谱等表面分析技术，研究了Ti膜与AlN陶瓷衬底的界面固相反应。在高真空中用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积200nm的Ti膜，并在真空恒温炉中退火。实验表明，退火中Ti膜与AlN界面发生了扩散与反应。650℃，1h退火已观测到明显的界面反应。界面反应产物主要是钛铝化物及Ti-N化合物。铝化物是Ti-Al二元化合物和Ti-Al-N三元化合物，850℃,4h退火后则主要由Ti_2AlN组成。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19097]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王佑祥,岳瑞峰,陈春华. Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应[J]. 物理学报,1998,47(1):75. |
| APA | 王佑祥,岳瑞峰,&陈春华.(1998).Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应.物理学报,47(1),75. |
| MLA | 王佑祥,et al."Ti薄膜与AlN陶瓷的界面反应".物理学报 47.1(1998):75. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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