分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang Y; Wang Y; Wang Y; Wang J
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| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 47期号:2页码:286 |
| 中文摘要 | 应用电容-电压、光致荧光和深能级瞬态谱技术研究了分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x外延层深中心。Al掺杂ZnS_(0.977)Te_(0.023)的光致荧光强度明显低于不掺杂的ZnS_(0.977)Te_(0.023),这表明一部分Al原子形成非辐射深中心。Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x(x=0,0.017,0.04和0.046)的深能级瞬态傅里叶谱表明，Al引进导带下的0.21和0.39eV电子陷阱，Te除了作为材料合金的成分和等电子中心外，还涉及到一个电子陷阱的形成，其相对导带的能级位置随Te组分增加而减小。实验结果还表明仅有少量掺杂的Al原子形成非辐射中心，这说明Al对于Te组分范围内(x≤0.046)的ZnS_(1-x)Te_x外延层的确是一种非常好的施主杂质。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 半导体材料开放实验室基金,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19103]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Y,Wang Y,Wang Y,等. 分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究[J]. 物理学报,1998,47(2):286. |
| APA | Wang Y,Wang Y,Wang Y,&Wang J.(1998).分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究.物理学报,47(2),286. |
| MLA | Wang Y,et al."分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS_(1-x)Te_x深中心研究".物理学报 47.2(1998):286. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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