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纳米硅薄膜的光致发光特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘明 ; 何宇亮 ; 江兴流 ; 李国华 ; 韩和相 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 47期号:5页码:864 |
| 中文摘要 | 用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si:H)薄膜。讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响。用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si:H的PL。研究了PL谱的温度特性。温度从10K上升到250K，PL峰值红移了54meV，且PL强度衰减了两个数量级。 |
| 英文摘要 | 用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si:H)薄膜。讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响。用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si:H的PL。研究了PL谱的温度特性。温度从10K上升到250K，PL峰值红移了54meV，且PL强度衰减了两个数量级。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5637.pdf: 357648 bytes, checksum: 1dc6626e81534d4d414090173211cb62 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家自然科学基金; 北京航空航天大学应用物理系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19107]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘明,何宇亮,江兴流,等. 纳米硅薄膜的光致发光特性[J]. 物理学报,1998,47(5):864. |
| APA | 刘明,何宇亮,江兴流,李国华,&韩和相.(1998).纳米硅薄膜的光致发光特性.物理学报,47(5),864. |
| MLA | 刘明,et al."纳米硅薄膜的光致发光特性".物理学报 47.5(1998):864. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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