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高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郭晓旭 ; 朱美芳 ; 刘金龙 ; 韩一琴 ; 许怀哲 ; 董宝中 ; 生文君 ; 韩和相 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 47期号:9页码:1542 |
| 中文摘要 | 采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱，红外透射谱，小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比χ_c随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减少。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高逐渐移向晶粒表面，在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH_2转变，即在微晶硅膜中主要以SiH_2形式存在于晶粒的界面。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19115]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭晓旭,朱美芳,刘金龙,等. 高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究[J]. 物理学报,1998,47(9):1542. |
| APA | 郭晓旭.,朱美芳.,刘金龙.,韩一琴.,许怀哲.,...&韩和相.(1998).高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究.物理学报,47(9),1542. |
| MLA | 郭晓旭,et al."高氢稀释制备微晶硅薄膜微结构的研究".物理学报 47.9(1998):1542. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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