多量子阱自电光效应器件及其负阻特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈弘达 ; 张以谟 ; 郭维廉 ; 吴荣汉 ; 高文智 ; 陈志标 ; 杜云 |
| 刊名 | 天津大学学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 31期号:2页码:211 |
| 中文摘要 | 研究了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电场光调制特性,测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明,在I-V特性中存在光电流负微分电阻区。由这种多量子阱材料制备的自电效应器件(SEED)观察到明显的量子限制Stark效应。 |
| 英文摘要 | 研究了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电场光调制特性,测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明,在I-V特性中存在光电流负微分电阻区。由这种多量子阱材料制备的自电效应器件(SEED)观察到明显的量子限制Stark效应。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:49导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:49Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5647.pdf: 327522 bytes, checksum: 2a4000b9e0cddfdddd8348b215b8c315 (MD5) Previous issue date: 1998; 天津大学精密仪器与光电子工程学院;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19127]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈弘达,张以谟,郭维廉,等. 多量子阱自电光效应器件及其负阻特性[J]. 天津大学学报,1998,31(2):211. |
| APA | 陈弘达.,张以谟.,郭维廉.,吴荣汉.,高文智.,...&杜云.(1998).多量子阱自电光效应器件及其负阻特性.天津大学学报,31(2),211. |
| MLA | 陈弘达,et al."多量子阱自电光效应器件及其负阻特性".天津大学学报 31.2(1998):211. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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