AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨
文献类型：期刊论文
| 作者 | 岳瑞峰 ; 王佑祥 ; 陈春华 |
| 刊名 | 硅酸盐学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 26期号:5页码:565 |
| 中文摘要 | 利用二次离子质谱(SIMS)并结合X-射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1100℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明, 未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火10min的条件下, 随着退火温度的增加, 富氧层迅速增厚。在1100℃退火20min的条件下, AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后, 结合化学热力学, 探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理。 |
| 英文摘要 | 利用二次离子质谱(SIMS)并结合X-射线衍射分析(XRD)研究了AlN陶瓷基板在850-1100℃空气中退火时的初始氧化行为。结果表明, 未退火AlN陶瓷基板表面区存在很薄的富氧层。在退火10min的条件下, 随着退火温度的增加, 富氧层迅速增厚。在1100℃退火20min的条件下, AlN陶瓷基板表面区有连续的氧化层生成。最后, 结合化学热力学, 探讨了AlN陶瓷基板表面的初始氧化机理。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5656.pdf: 347342 bytes, checksum: 940ef1b7644967b3c882583e62482acd (MD5) Previous issue date: 1998; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19145]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华. AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨[J]. 硅酸盐学报,1998,26(5):565. |
| APA | 岳瑞峰,王佑祥,&陈春华.(1998).AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨.硅酸盐学报,26(5),565. |
| MLA | 岳瑞峰,et al."AlN陶瓷基板在空气中的热氧化行为探讨".硅酸盐学报 26.5(1998):565. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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