测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 彭英才 ; 刘明 ; 何宇亮 ; 江兴流 ; 李国华 ; 韩和相 |
| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:1页码:56 |
| 中文摘要 | 利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出，随着测试温度升高，PL峰值能量发生了54meV的红移，PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。 |
| 英文摘要 | 利用常规等离了体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜,并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量。实验结果指出，随着测试温度升高，PL峰值能量发生了54meV的红移，PL强度在T>80K后呈指数下降趋势。PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:11:59导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:11:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5671.pdf: 272075 bytes, checksum: a2b2a19cec05c12449dfc0ca157c5b15 (MD5) Previous issue date: 1998; 河北省自然科学基金; 河北大学电子与信息工程系;北京航空航天大学非晶态物理研究室;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 河北省自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19175]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才,刘明,何宇亮,等. 测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响[J]. 发光学报,1998,19(1):56. |
| APA | 彭英才,刘明,何宇亮,江兴流,李国华,&韩和相.(1998).测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响.发光学报,19(1),56. |
| MLA | 彭英才,et al."测试温度对nc-Si:H膜光致发光特性的影响".发光学报 19.1(1998):56. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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