离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴正龙 ; 杨锡震 ; 秦复光 |
| 刊名 | 北京师范大学学报. 自然科学版
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 34期号:2页码:206 |
| 中文摘要 | 用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi_2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符，用XPS价带谱来表征β-FeSi_2比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨。经研究认为:Fe,Si通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Si晶格相匹配的β-FeSi_2。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19193]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴正龙,杨锡震,秦复光. 离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1998,34(2):206. |
| APA | 吴正龙,杨锡震,&秦复光.(1998).离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征.北京师范大学学报. 自然科学版,34(2),206. |
| MLA | 吴正龙,et al."离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征".北京师范大学学报. 自然科学版 34.2(1998):206. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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