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离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征

文献类型:期刊论文

作者吴正龙 ; 杨锡震 ; 秦复光
刊名北京师范大学学报. 自然科学版
出版日期1998
卷号34期号:2页码:206
中文摘要用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi_2进行了详细研究,并对其电子能谱进行了表征。实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符,用XPS价带谱来表征β-FeSi_2比光电子峰更为清晰、可取。同时,对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨。经研究认为:Fe,Si通过空位机制进行的增强互扩散,在高温下生长出与Si晶格相匹配的β-FeSi_2。
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息国家自然科学基金
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19193]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴正龙,杨锡震,秦复光. 离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1998,34(2):206.
APA 吴正龙,杨锡震,&秦复光.(1998).离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征.北京师范大学学报. 自然科学版,34(2),206.
MLA 吴正龙,et al."离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征".北京师范大学学报. 自然科学版 34.2(1998):206.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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