在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴正龙 ; 姚振钰 ; 张建辉 ; 刘志凯 ; 秦复光 |
| 刊名 | 北京师范大学学报. 自然科学版
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 34期号:4页码:492 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:04导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5681.pdf: 340936 bytes, checksum: e632620c9610800854a90909e0002f97 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家八五计划; 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家八五计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19195]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴正龙,姚振钰,张建辉,等. 在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1998,34(4):492. |
| APA | 吴正龙,姚振钰,张建辉,刘志凯,&秦复光.(1998).在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究.北京师范大学学报. 自然科学版,34(4),492. |
| MLA | 吴正龙,et al."在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究".北京师范大学学报. 自然科学版 34.4(1998):492. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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