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在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究

文献类型:期刊论文

作者吴正龙 ; 姚振钰 ; 张建辉 ; 刘志凯 ; 秦复光
刊名北京师范大学学报. 自然科学版
出版日期1998
卷号34期号:4页码:492
英文摘要于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:04导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5681.pdf: 340936 bytes, checksum: e632620c9610800854a90909e0002f97 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家八五计划; 北京师范大学分析测试中心;中科院半导体所
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息国家八五计划
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19195]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴正龙,姚振钰,张建辉,等. 在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究[J]. 北京师范大学学报. 自然科学版,1998,34(4):492.
APA 吴正龙,姚振钰,张建辉,刘志凯,&秦复光.(1998).在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究.北京师范大学学报. 自然科学版,34(4),492.
MLA 吴正龙,et al."在Si(111)上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究".北京师范大学学报. 自然科学版 34.4(1998):492.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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