GaN压电效应对载流子浓度的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张剑平 ; 王晓亮 ; 孙殿照 ; 李晓兵 ; 傅荣辉 ; 孔梅影 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:7页码:498 |
| 中文摘要 | 在NH_3源GSMBE生长的GaN中观察到较大的双轴张应变。随着张应变的增加光致发光谱带边峰展宽，Hall测试得到的背景电子浓度增大。该文应用GaN的压电效应对此进行了解释。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19199]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张剑平,王晓亮,孙殿照,等. GaN压电效应对载流子浓度的影响[J]. 半导体学报,1998,19(7):498. |
| APA | 张剑平,王晓亮,孙殿照,李晓兵,傅荣辉,&孔梅影.(1998).GaN压电效应对载流子浓度的影响.半导体学报,19(7),498. |
| MLA | 张剑平,et al."GaN压电效应对载流子浓度的影响".半导体学报 19.7(1998):498. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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