X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹福年 ; 卜俊鹏 ; 吴让元 ; 郑红军 ; 惠峰 ; 白玉珂 ; 刘明焦 ; 何宏家 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:8页码:635 |
| 中文摘要 | 通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合，作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶征亚表面损伤层厚度D的关系曲线，建立了一种定量检测SI-GaAa抛光晶片的片表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19203]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹福年,卜俊鹏,吴让元,等. X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度[J]. 半导体学报,1998,19(8):635. |
| APA | 曹福年.,卜俊鹏.,吴让元.,郑红军.,惠峰.,...&何宏家.(1998).X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度.半导体学报,19(8),635. |
| MLA | 曹福年,et al."X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs势光晶片的亚表面损伤层厚度".半导体学报 19.8(1998):635. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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