GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:8页码:631 |
| 中文摘要 | 利用分子束外延技术，在GaAs两个(113)晶面的脊形交接处制备了量子线。在低温PL谱上，观测到量子线的发光峰。通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效就和一维量子线在上述结构中的存在。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19205]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究[J]. 半导体学报,1998,19(8):631. |
| APA | 牛智川.(1998).GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究.半导体学报,19(8),631. |
| MLA | 牛智川."GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究".半导体学报 19.8(1998):631. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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