CoSi2超薄外延膜的生长研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姚振钰 ; 张国炳 ; 秦复光 ; 刘志凯 ; 张建辉 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:3页码:221 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:15导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5697.pdf: 210915 bytes, checksum: 85ddeadd74d1a23c6f5fa03b15c19e95 (MD5) Previous issue date: 1998; 国家八五计划; 中科院半导体所;北京大学微电子所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家八五计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19227]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚振钰,张国炳,秦复光,等. CoSi2超薄外延膜的生长研究[J]. 半导体学报,1998,19(3):221. |
| APA | 姚振钰,张国炳,秦复光,刘志凯,张建辉,&林兰英.(1998).CoSi2超薄外延膜的生长研究.半导体学报,19(3),221. |
| MLA | 姚振钰,et al."CoSi2超薄外延膜的生长研究".半导体学报 19.3(1998):221. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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