低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田 ; 王圩; 朱洪亮
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:3页码:218 |
| 中文摘要 | 报道了用低压－金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料。X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendellosong条纹。整个有源区的平均应变量几乎为零。用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2～4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB。20～40℃下的特征温度T_0为67K。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19229]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田,王圩,朱洪亮. 低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长[J]. 半导体学报,1998,19(3):218. |
| APA | 王玉田,王圩,&朱洪亮.(1998).低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长.半导体学报,19(3),218. |
| MLA | 王玉田,et al."低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长".半导体学报 19.3(1998):218. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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