氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:5页码:327 |
| 中文摘要 | 该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19231]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. 氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响[J]. 半导体学报,1998,19(5):327. |
| APA | 牛智川.(1998).氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响.半导体学报,19(5),327. |
| MLA | 牛智川."氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响".半导体学报 19.5(1998):327. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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