三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 牛智川 ; 韩勤
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:4页码:311 |
| 中文摘要 | 报道了在腐蚀图形的(311)A衬底上,一种新型三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化研究.原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域,MBE选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构,其尖角沿[2-33]方向,收缩面由对称的{111}A面构成。低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19235]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,韩勤. 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化[J]. 半导体学报,1998,19(4):311. |
| APA | 牛智川,&韩勤.(1998).三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化.半导体学报,19(4),311. |
| MLA | 牛智川,et al."三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化".半导体学报 19.4(1998):311. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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