离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 雷红兵 ; 杨沁清 ; 王启明 ; 周必忠 ; 肖方方 ; 吴名枋 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:5页码:332 |
| 中文摘要 | 详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μ、1.570μm、1.598μ和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强。结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于T_d对称中心的填隙铒Er~(3+)离子。在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心，其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19245]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 雷红兵,杨沁清,王启明,等. 离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):332. |
| APA | 雷红兵,杨沁清,王启明,周必忠,肖方方,&吴名枋.(1998).离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究.半导体学报,19(5),332. |
| MLA | 雷红兵,et al."离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究".半导体学报 19.5(1998):332. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。