Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:5页码:397 |
| 中文摘要 | 利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。 |
| 英文摘要 | 利用X射线衍射和AES(俄歇)方法，深入地研究了RF磁探溅射淀积的Pt-Ni/p-InP(100)非合金膜系在热退火过程中Pt和Ni与衬底InP中的In和P形成稳定化合物的行为，揭示了比接触电阻降低于3×10~(-6)Ω·cm~2的根本原因。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5711.pdf: 281493 bytes, checksum: ea05f6601ef86d6fe4cbdbc65e8a926f (MD5) Previous issue date: 1998; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19255]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究[J]. 半导体学报,1998,19(5):397. |
| APA | 王玉田.(1998).Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究.半导体学报,19(5),397. |
| MLA | 王玉田."Pt-Ni/p-InP低阻欧姆接触的机理研究".半导体学报 19.5(1998):397. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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