不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 司俊杰 ; 杨沁清 ; 王红杰 ; 雷红兵 ; 滕达 ; 王启明 ; 刘学锋 ; 李建民 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:6页码:477 |
| 中文摘要 | 对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围，使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高，PL谱线发生兰移，发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论。 |
| 英文摘要 | 对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围，使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高，PL谱线发生兰移，发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:21导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5712.pdf: 270879 bytes, checksum: ff9abe87a547d1cf81e782bb8322d5a4 (MD5) Previous issue date: 1998; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19257]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 司俊杰,杨沁清,王红杰,等. 不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响[J]. 半导体学报,1998,19(6):477. |
| APA | 司俊杰.,杨沁清.,王红杰.,雷红兵.,滕达.,...&李建民.(1998).不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响.半导体学报,19(6),477. |
| MLA | 司俊杰,et al."不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响".半导体学报 19.6(1998):477. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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