生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李国华 ; 韩和相 ; 丁琨 ; 汪兆平 ; 段树坤 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:11页码:865 |
| 中文摘要 | 在室温下测量了用MOVPE方法生长在尖晶石(MgAl_2O_4)衬底上的GaN外延层的一阶喇曼光谱。应用各种背散射和90°散射配置，测得了除低频E_2模外所有GaN的喇曼活性光学声子模。并且在X(Z,X)Z和X(Y,Y)Z配置下观测到了由A_1和E_2模混合形成的准TO和准LO模。所得结果与群论选择定则预计的一致。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19263]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李国华,韩和相,丁琨,等. 生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究[J]. 半导体学报,1998,19(11):865. |
| APA | 李国华,韩和相,丁琨,汪兆平,&段树坤.(1998).生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究.半导体学报,19(11),865. |
| MLA | 李国华,et al."生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究".半导体学报 19.11(1998):865. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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