GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王晓亮 ; 孙殿照 ; 孔梅影 ; 张剑平 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 林兰英 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:12页码:890 |
| 中文摘要 | 用NH_3作氮源的GSMBE方法在晶向为(0001)的α-Al_2O_3衬底上生长非有意掺杂的单晶GaN外延膜，GaN膜呈N型导电，室温时的最高迁移率约为120cm~2/(V·s),相应的非有意掺杂电子浓度为9.1×10~(17)cm~(-3)。对一些GaN膜进行了变温Hall测试，通过电阻率、背景电子浓度以及Hall迁移随温度的变化研究了GaN外延膜的导电机理。结果表明，当温度较低时，以电子在施主中心之间的输运导电为主；当温度较高时，以导带中的自由电子导电为主。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 资助信息 | 国家九五计划,中国博士后基金 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19269]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,孙殿照,孔梅影,等. GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究[J]. 半导体学报,1998,19(12):890. |
| APA | 王晓亮.,孙殿照.,孔梅影.,张剑平.,曾一平.,...&林兰英.(1998).GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究.半导体学报,19(12),890. |
| MLA | 王晓亮,et al."GSMBE GaN 膜的电子输运性质研究".半导体学报 19.12(1998):890. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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