中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘键 ; 王佩璇 ; 柯俊 ; 朱沛然 ; 杨峰 ; 殷士端 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:9页码:672 |
| 中文摘要 | 用沟道RBS方法研究了中子辐照GaAs的缺陷在快速退火过程中的恢复行为。结果表明，在10~(14)～10~(17)/cm~2范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长。中子辐照效应对ψ_(1/2)没有影响。经一定剂量辐照后，退火温度越高，退火时间越长，离位原子的恢复效果越明显。10~(15)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_1 approx=0.23eV,可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合；而10~(17)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_2 approx=0.13eV,对应空位与其附近的填隙原子的复合。 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19277]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘键,王佩璇,柯俊,等. 中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究[J]. 半导体学报,1998,19(9):672. |
| APA | 刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,杨峰,&殷士端.(1998).中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究.半导体学报,19(9),672. |
| MLA | 刘键,et al."中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究".半导体学报 19.9(1998):672. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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