LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 19期号:9页码:712 |
| 中文摘要 | 利用LP-MOCVD外延生长AlGaInP DH 结构橙黄色发光二极管。引入厚层Al_(0.7)Ga_(0.3)As电流扩展层和Al_(0.5)Ga_(0.5)As-AlAs分布布拉格反射器(KBR)。20mA工作条件下，工作电压1.9V,发光波长峰值在605nm,峰值半宽为18.3nm,管芯平均亮度达到20mcd,最大29.4mcd,透明封装成视角(2θ_(1/2)15°的LED灯亮度达到1cd。 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19283]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管[J]. 半导体学报,1998,19(9):712. |
| APA | 陈良惠.(1998).LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管.半导体学报,19(9),712. |
| MLA | 陈良惠."LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙横色发光二极管".半导体学报 19.9(1998):712. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。