Properties of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonids
文献类型：期刊论文
| 作者 | Peng RW(彭瑞伍) ; Ding YQ(丁永庆) ; Xu CM(徐晨梅) ; Wang ZG(王占国) |
| 刊名 | rare metals
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 卷号 | 17期号:3页码:161 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19295]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Peng RW,Ding YQ,Xu CM,et al. Properties of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonids[J]. rare metals,1998,17(3):161. |
| APA | 彭瑞伍,丁永庆,徐晨梅,&王占国.(1998).Properties of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonids.rare metals,17(3),161. |
| MLA | 彭瑞伍,et al."Properties of GaSb substrate wafers for MOCVD III-V antimonids".rare metals 17.3(1998):161. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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