高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 盛殊然 ; 廖显伯 ; 孔光临 ; 刁宏伟 |
| 刊名 | 中国科学. A辑，数学
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 27期号:7页码:653 |
| 中文摘要 | 采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),其光敏性(σ_(ph)σ_d)达到10~6)量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm~2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出 |
| 英文摘要 | 采用“不间断生长/退火”技术,并配之以微量硼补偿,制备了高性能的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),其光敏性(σ_(ph)σ_d)达到10~6)量级,并且稳定性得以显著提高,在100mW/cm~2的白光长时间照射后没有观察到衰退现象。分析指出; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:28导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5740.pdf: 322312 bytes, checksum: 0a59a5d229844a2b2a8ec7736e59d304 (MD5) Previous issue date: 1997; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19305]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 盛殊然,廖显伯,孔光临,等. 高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制[J]. 中国科学. A辑，数学,1997,27(7):653. |
| APA | 盛殊然,廖显伯,孔光临,&刁宏伟.(1997).高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制.中国科学. A辑，数学,27(7),653. |
| MLA | 盛殊然,et al."高光敏性高稳定性氢化非晶硅薄膜的研制".中国科学. A辑，数学 27.7(1997):653. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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