980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 中国激光
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| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 24期号:10页码:873 |
| 中文摘要 | 利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8W/A，线性输出功率大于150mW，基横模输出功率可达100mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为40mW，最大值可达60mW，显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40～60mW下，中心发射波长在977nm,满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器。 |
| 英文摘要 | 利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15mA和0.8W/A，线性输出功率大于150mW，基横模输出功率可达100mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合，其组合件出纤光功率典型值为40mW，最大值可达60mW，显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40～60mW下，中心发射波长在977nm,满足了对掺铒光纤高效率泵浦的波长要求，成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:29导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5743.pdf: 277918 bytes, checksum: c0f9e51f5781964d49c78230ff71f09a (MD5) Previous issue date: 1997; 中科院半导体所;北京工业大学 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19311]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. 980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件[J]. 中国激光,1997,24(10):873. |
| APA | 陈良惠.(1997).980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件.中国激光,24(10),873. |
| MLA | 陈良惠."980nm InGaAs应变量子阱激光器及组合件".中国激光 24.10(1997):873. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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