Ti和AlN陶瓷的界面反应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 岳瑞峰 ; 王佑祥 ; 陈春华 ; 徐传骧 |
| 刊名 | 西安交通大学学报
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 卷号 | 31期号:8页码:1 |
| 中文摘要 | 采用电子束蒸发的方法在抛光的200℃AlN陶瓷衬底上淀积厚度为200nm的Ti膜，并在高真空中退火。研究了从200￣850℃温区内Ti与AlN的固相界面反应，给出了界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发生了三元铝化物并观测到铝化物产生与发展过程。 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,金属基复合材料国家重点实验室基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19313]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,等. Ti和AlN陶瓷的界面反应[J]. 西安交通大学学报,1997,31(8):1. |
| APA | 岳瑞峰,王佑祥,陈春华,&徐传骧.(1997).Ti和AlN陶瓷的界面反应.西安交通大学学报,31(8),1. |
| MLA | 岳瑞峰,et al."Ti和AlN陶瓷的界面反应".西安交通大学学报 31.8(1997):1. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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